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深圳明佳達(dá)電子有限公司 供應(yīng)ST功率晶體管：IGBT、功率雙極晶體管、功率MOSFET、氮化鎵、碳化硅MOSFET

深圳明佳達(dá)電子有限公司作為全球知名的電子元器件授權(quán)獨(dú)立分銷商，始終致力于為全球客戶提供優(yōu)質(zhì)的產(chǎn)品解決方案。

核心產(chǎn)品線涵蓋：5G芯片、新能源IC、物聯(lián)網(wǎng)IC、藍(lán)牙IC、車聯(lián)網(wǎng)IC、車規(guī)級IC、通信IC、人工智能IC、存儲IC、傳感器IC、微控制器IC、收發(fā)器IC、以太網(wǎng)IC、WiFi芯片、無線通信模塊、連接器及其他電子元器件。

應(yīng)用領(lǐng)域：產(chǎn)品廣泛應(yīng)用于汽車、通信設(shè)備、計(jì)算設(shè)備、消費(fèi)電子、醫(yī)療儀器、音頻設(shè)備、視頻顯示設(shè)備、通信系統(tǒng)及汽車電源等多個(gè)行業(yè)。

服務(wù)理念：秉承“服務(wù)客戶，創(chuàng)造價(jià)值”的宗旨，為客戶提供多樣化、高品質(zhì)的電子元器件。

【IGBT】

擊穿電壓覆蓋300至1700伏。低VCE(SAT)特性有效降低導(dǎo)通損耗。開關(guān)關(guān)斷能量分布隨溫度升高而優(yōu)化。

產(chǎn)品類型

意法半導(dǎo)體提供全面的工業(yè)及汽車應(yīng)用功率IGBT產(chǎn)品線，覆蓋全電壓范圍。

STPOWER 300-400 V（鉗位）IGBT

作為高性能汽車點(diǎn)火系統(tǒng)線圈驅(qū)動器，該系列IGBT提供多種鉗位電壓（典型值350至410 V）和電流等級（10至30 A）。

STPOWER 600-750 V IGBT

ST 600V、650V及750V IGBT可提供高達(dá)320 A的集電極電流，適用于最高100 kHz工作頻率的應(yīng)用場景。

STPOWER 1200-1350 V IGBT

額定電壓≥1200 V的ST IGBT，提供3至75 A最大電流，采用多種分立封裝形式，適用于最高100 kHz工作頻率的應(yīng)用場景。

STPOWER裸片IGBT（最高1700V）

裸片IGBT提供多種性能取舍方案，最高電壓達(dá)1700V，集電極電流可達(dá)200A，適用于電機(jī)控制、伺服驅(qū)動、焊接、太陽能及工業(yè)/汽車牽引逆變器等廣泛領(lǐng)域。

【功率雙極晶體管】

產(chǎn)品線涵蓋達(dá)林頓晶體管及雙極晶體管，集電極-基極電壓范圍15至1700伏。

意法半導(dǎo)體雙極NPN/PNP晶體管核心特性

快速開關(guān)特性與極低飽和電壓，顯著降低開關(guān)損耗與導(dǎo)通損耗

集成二極管版本可減少元器件數(shù)量

嚴(yán)格控制hFE參數(shù)以提升可靠性

卓越的性價(jià)比

【功率MOSFET】

擊穿電壓覆蓋-100至1700V的廣闊范圍，具備低柵極電荷與低導(dǎo)通電阻特性，并采用尖端封裝技術(shù)。

產(chǎn)品類型

意法半導(dǎo)體提供覆蓋工業(yè)與汽車應(yīng)用全電壓段的強(qiáng)大功率MOSFET產(chǎn)品線，適用于開關(guān)電源(SMPS)、照明、電機(jī)控制、能源生成與電動出行、底盤與安全、車身與舒適系統(tǒng)等領(lǐng)域。

20V-30V低壓MOSFET

探索STripFET低壓功率MOSFET系列，具備低柵極電荷與低導(dǎo)通電阻特性，并采用適配封裝方案。

STPOWER N溝道MOSFET > 30V至200V

探索我們的中壓STripFET N溝道功率MOSFET產(chǎn)品組合，提供多種微型及大功率封裝選擇。

STPOWER N溝道MOSFET > 200V至700V

意法半導(dǎo)體最新超結(jié)技術(shù)專為硬開關(guān)與諧振拓?fù)湓O(shè)計(jì)，適用于高功率應(yīng)用。

> 700V-1700V 高壓及超高壓MOSFET

探索我們的MDmesh高壓與超高壓功率MOSFET，具備增強(qiáng)的功率處理能力，可實(shí)現(xiàn)高效率解決方案。

P溝道MOSFET

探索我們的STripFET P溝道MOSFET，采用超小型封裝，近期新增溝槽柵極器件。

【氮化鎵晶體管】

氮化鎵技術(shù)在高頻應(yīng)用中表現(xiàn)卓越，提供更優(yōu)效率、更高功率密度及極快開關(guān)速度。

【碳化硅MOSFET】

覆蓋650至2200伏電壓范圍，碳化硅MOSFET可提升功率效率，實(shí)現(xiàn)更緊湊輕量化的系統(tǒng)設(shè)計(jì)，是高壓高性能應(yīng)用的理想選擇。

我司碳化硅MOSFET主要特性包括：

? 汽車級（AG）認(rèn)證器件

? 極高耐溫能力（最大結(jié)溫TJ=200°C）

? 超高開關(guān)頻率運(yùn)行與極低開關(guān)損耗

? 低導(dǎo)通電阻

? 與現(xiàn)有集成電路兼容的柵極驅(qū)動

? 極快響應(yīng)與強(qiáng)健的本征體二極管