商品名稱:專業(yè)電源管理 (PMIC)
品牌:Renesas
年份:25+
封裝:VFQFPN36
貨期:全新原裝
庫存數(shù)量:1500 件
P8910-X0Z001FNG8是一款高度集成、高效的 PMIC,具有可編程輸出電壓電源,適用于所有 DDR5 服務(wù)器 DIMM 模塊。P8910-X0Z001FNG8包括四個降壓開關(guān)輸出穩(wěn)壓器和三個低壓差 (LDO) 輸出穩(wěn)壓器。PMIC5010是一款小型服務(wù)器PMIC,支持低電流DDR5模塊和應(yīng)用,完全符合JEDEC DDR5 PMIC5010(JESD89)規(guī)范。PMIC 由系統(tǒng)板的兩個輸入電源(VIN_Mgmt 和 VIN_Bulk)供電,為其開關(guān)和 LDO 輸出穩(wěn)壓器供電。
關(guān)鍵特性
我們業(yè)界首創(chuàng)的服務(wù)器 PMIC 旨在支持所有用例 - 低電流、高電流和極電流 - 以支持所有服務(wù)器工作負(fù)載
支持所有 PMIC 上的 I2C 和 I3C 串行接口支持
VIN_Bulk輸入電源范圍:4.25V至15.0V
VIN_Mgmt輸入電源范圍:3.0V至3.6V
四個降壓開關(guān)穩(wěn)壓器:SWA、SWB、SWC 和 SWD
可編程雙相和單相穩(wěn)壓器,可在單相或雙相模式下運(yùn)行,提供高效的電源管理和精確的輸出電壓調(diào)節(jié)。
三個LDO穩(wěn)壓器:VBias、VOUT_1.8V、VOUT_1.0V
從VIN_Mgmt輸入電源自動切換到VIN_Bulk輸入電源
錯誤注入功能
錯誤日志寄存器
寫保護(hù)作模式
高級數(shù)據(jù)保護(hù)
獨(dú)立可編程的輸出電壓、開關(guān)穩(wěn)壓器的上電和斷電序列
輸入輸出電源良好狀態(tài)報告機(jī)制
VIN_Bulk輸入電源保護(hù)功能:輸入過壓和輸入欠壓
輸出開關(guān)穩(wěn)壓器保護(hù)功能:輸出過壓、輸出欠壓、輸出限流器
輸出電流測量、輸出電流閾值機(jī)制
溫度測量、溫度警告閾值、臨界溫度關(guān)機(jī)
多次可編程非易失性存儲器
可編程和 DIMM 特定寄存器,用于定制
一般狀態(tài)中斷功能
靈活的漏極開路 IO(3.3V、2.5V、1.8V 或 1.2V、1.1V 或 1.0V)或推挽式 IO(1.2V 或 1.1V 或 1.0V)支持
采用 VFQFPN 封裝的小型 5 × 5 mm 外形尺寸,具有增強(qiáng)的焊點(diǎn)可靠性和散熱性
應(yīng)用場景
用于服務(wù)器/工作站的 DDR5 RDIMM
型號
品牌
封裝
數(shù)量
描述
答:所有上架的在線商品均可在線即可下單,但也考慮到現(xiàn)貨庫存流動性比較大,目前還無法做到100%的精準(zhǔn)。如有異常,您可以在線聯(lián)系我公司并給出對應(yīng)的 解決方案。
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答:可以為個人用戶開具普通發(fā)票,也可以為企業(yè)用戶開具增值稅專用發(fā)票。
瑞薩科技是世界十大半導(dǎo)體芯片供應(yīng)商之一,在很多諸如移動通信、汽車電子和PC/AV 等領(lǐng)域獲得了全球最高市場份額。瑞薩科技在2003年4月1日正式成立,以領(lǐng)先的科技實(shí)現(xiàn)人類的夢想。結(jié)合了日立與三菱電機(jī)在半導(dǎo)體領(lǐng)域上的豐富經(jīng)驗(yàn)和專業(yè)知識,配合全球二萬七千名員工的無限創(chuàng)…
R5F1026AASP
R5F1026AASP 是一款基于 RL78 內(nèi)核的 16 位微控制器,專為需要低功耗和高性能的嵌入式應(yīng)用設(shè)計。M38049FFLHP
M38049FFLHP是一款基于740系列內(nèi)核的8位CMOS微控制器,64引腳,采用LFQFP封裝 。RBN75H65T1FPQ-A0
RBN75H65T1FPQ-A0 650V、75A 溝槽絕緣柵雙極晶體管(IGBT)提供低集電極至發(fā)射極飽和電壓、內(nèi)置快速恢復(fù)二極管(FRD),可用于電源開關(guān)應(yīng)用。M38049FFLKP
M38049FFLKP 是一款由瑞薩電子生產(chǎn)的 8 位微控制器,屬于 3804L 系列。TP65H300G4JSGB
TP65H300G4JSGB是一款 650V 240mΩ 氮化鎵 (GaN) FET 是使用瑞薩電子第四代平臺構(gòu)建的常閉器件。該晶體管結(jié)合了最先進(jìn)的高壓 GaN HEMT 和低壓硅 MOSFET 技術(shù),提供卓越的可靠性和性能。TP65H300G4JSGB主要規(guī)格如下:晶體管極性:N-Channel通道數(shù)量:1 ChannelVds-漏源極…TP65H300G4LSGB
TP65H300G4LSGB 650V 240mΩ 氮化鎵 (GaN) FET 是使用瑞薩電子的 Gen IV 平臺構(gòu)建的常閉器件。TP65H300G4LSGB結(jié)合了最先進(jìn)的高壓 GaN HEMT 和低壓硅 MOSFET 技術(shù),提供卓越的可靠性和性能。TP65H300G4LSGB采用行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)的 PQFN88 封裝,具有 Kelvin 源和通用源封裝配置?!?/span>電話咨詢:86-755-83294757
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