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NTBG032N065M3S 是一款全新的650V M3S 平面 SiC MOSFET 系列器件,針對快速開關應用進行了優(yōu)化。平面技術與負柵極電壓驅動一起可靠地工作,并關閉柵極上的尖峰。該系列在采用 18V 柵極驅動時具有最佳性能,但與 15V 柵極驅動配合使用時也能很好地工作。
產品屬性:
晶體管極性:N-Channel
通道數量:1 Channel
Vds-漏源極擊穿電壓:650 V
Id-連續(xù)漏極電流:52 A
Rds On-漏源導通電阻:44 mOhms
Vgs - 柵極-源極電壓:- 8 V, 22 V
Vgs th-柵源極閾值電壓:4 V
Qg-柵極電荷:55 nC
封裝 / 箱體:D2PAK-7
工作溫度:- 55°C 至 + 175°C
Pd-功率耗散:200 W
通道模式:Enhancement
商標:onsemi
配置:Single
下降時間:9 ns
封裝:Reel
封裝:Cut Tape
產品類型:SiC MOSFETS
上升時間:12 ns
型號
品牌
封裝
數量
描述
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