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【ADI】EV1HMC815BLC5一款專用于評估 HMC815B 射頻芯片性能的評估板，使用該評估板可以快速搭建HMC815B的工作電路，驗證其在不同頻率和功率下的性能是否符合設計預期。

EV1HMC815BLC5 評估板概覽

核心芯片：EV1HMC815BLC5 評估板的核心是HMC815B射頻芯片 - GaAs MMIC I/Q上變頻器。

主要用途：主要用于HMC815B芯片的性能評估、原型設計和系統(tǒng)調(diào)試。

工作頻率：支持21GHz ~ 27GHz的寬頻率范圍

核心芯片：HMC815B

產(chǎn)品詳情：

HMC815B是一款緊湊的砷化鎵(GaAs)、假晶高電子遷移率晶體管(pHEMT)、單芯片微波集成電路(MMIC)上變頻器，采用符合RoHS標準的封裝，工作頻率范圍為21 GHz至27 GHz。該器件提供12 dB的小信號轉(zhuǎn)換增益和20 dBc的邊帶抑制性能。HMC815B采用驅(qū)動放大器工作，前接由有源2×乘法器驅(qū)動LO的同相正交(I/Q)混頻器。還提供IF1和IF2混頻器輸入，需通過外部90°混合選擇所需的邊帶。I/Q混頻器拓撲結(jié)構(gòu)則降低了干擾邊帶濾波要求。

產(chǎn)品特性：

轉(zhuǎn)換增益：12 dB（典型值）

邊帶抑制：20 dBc（典型值）

OP1dB壓縮：20 dBm（典型值）

OIP3：27 dBm（典型值）

2× LO至RF隔離：10 dB（典型值）

2× LO至IF隔離：15 dB（典型值）

RF回波損耗：12 dB（典型值）

LO回波損耗：15 dB（典型值）

IF回波損耗：15 dB（典型值）

裸露焊盤、4.90 mm × 4.90 mm、32引腳、陶瓷LCC封裝

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