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MSC080SMB120B4N隸屬于MB系列微晶碳化硅MOSFET，在性能、可靠性和成本效益之間實現(xiàn)了最佳平衡。這款1200V碳化硅MOSFET兼容15V柵極電壓，便于設計集成并可復用現(xiàn)有驅動電路。憑借高達175°C的最大額定溫度，碳化硅MOSFET可在高溫結溫環(huán)境下運行，為惡劣工況提供卓越的熱性能與可靠性。

TO-247-4凹槽封裝可實現(xiàn)高效大功率設計，在提升散熱性能的同時降低寄生效應。其四引腳布局包含克爾文源極設計，有效降低柵極振鈴與開關損耗；凹槽結構則增強了爬電距離，顯著提升高壓可靠性。

MSC080SMB120B4N 參數(shù)

制造商: Microchip

產品種類: 碳化硅MOSFET

安裝風格: Through Hole

封裝 / 箱體: TO-247-4

晶體管極性: N-Channel

通道數(shù)量: 1 Channel

Vds-漏源極擊穿電壓: 1.2 kV

Id-連續(xù)漏極電流: 30 A

Rds On-漏源導通電阻: 107 mOhms

Vgs - 柵極-源極電壓: - 10 V, + 21 V

Vgs th-柵源極閾值電壓: 5 V

Qg-柵極電荷: 34 nC

最小工作溫度: - 55 C

最大工作溫度: + 175 C

Pd-功率耗散: 161 W

MSC080SMB120B4N 特性

? 低電容與低柵極電荷

? 因低內部柵極電阻（ESR）實現(xiàn)快速開關速度

? 高結溫下穩(wěn)定運行，TJ(max) = 175 °C

? 快速可靠的體二極管

? 卓越的雪崩耐受性（100% UIS生產測試）

? 爬電距離（典型值>8 mm）

? 符合RoHS環(huán)保標準

MSC080SMB120B4N 優(yōu)勢

? 高效率設計實現(xiàn)更輕量化緊湊系統(tǒng)

? 驅動簡易且易于并聯(lián)

? 提升散熱性能并降低開關損耗

? 無需外接續(xù)流二極管

? 降低系統(tǒng)全生命周期成本

MSC080SMB120B4N 應用

? 光伏（PV）逆變器、轉換器及工業(yè)電機驅動

? 智能電網(wǎng)輸配電系統(tǒng)

? 感應加熱與焊接設備

? 混合動力汽車（HEV）動力總成及電動汽車（EV）充電器

? 電源供應與配電系統(tǒng)

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