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APT56F50L 是一款高性能的 N溝道功率MOSFET。它采用了先進(jìn)的 POWER MOS 8? 技術(shù)，旨在高效處理高電壓和大電流，非常適合要求嚴(yán)苛的功率電子應(yīng)用。

APT56F50L 產(chǎn)品屬性

制造商: Microchip

產(chǎn)品種類: MOSFET

技術(shù): Si

安裝風(fēng)格: Through Hole

封裝 / 箱體: TO-264-3

晶體管極性: N-Channel

通道數(shù)量: 1 Channel

Vds-漏源極擊穿電壓: 500 V

Id-連續(xù)漏極電流: 56 A

Rds On-漏源導(dǎo)通電阻: 100 mOhms

Vgs - 柵極-源極電壓: - 30 V, + 30 V

Vgs th-柵源極閾值電壓: 4 V

Qg-柵極電荷: 220 nC

最小工作溫度: - 55 C

最大工作溫度: + 150 C

Pd-功率耗散: 780 W

通道模式: Enhancement

配置: Single

下降時(shí)間: 33 ns

正向跨導(dǎo) - 最小值: 43 S

產(chǎn)品類型: MOSFETs

上升時(shí)間: 45 ns

典型關(guān)閉延遲時(shí)間: 100 ns

典型接通延遲時(shí)間: 38 ns

APT56F50L 典型應(yīng)用場(chǎng)景

基于其高耐壓、大電流和低導(dǎo)通電阻的特性，APT56F50L非常適用于以下高要求的功率轉(zhuǎn)換和控制領(lǐng)域：

工業(yè)電機(jī)驅(qū)動(dòng)與變頻器控制

大功率開關(guān)電源 和 不間斷電源（UPS）

功率因數(shù)校正（PFC）電路

高頻逆變器 和 焊接設(shè)備

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  答：所有上架的在線商品均可在線即可下單，但也考慮到現(xiàn)貨庫存流動(dòng)性比較大，目前還無法做到100%的精準(zhǔn)。如有異常，您可以在線聯(lián)系我公司并給出對(duì)應(yīng)的 解決方案。

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