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APT20M22LVRG 是一款專為高功率密度和高效率應用設計的 MOSFET，采用 TO-264 封裝。該晶體管具有 200V 的漏源電壓（Vdss）和 22mΩ 的低導通電阻（Rds(on)），能夠處理高達 200A 的脈沖電流，適合高功率應用。它適用于多種高功率、高效率的應用場景，如開關電源、電機驅(qū)動和工業(yè)自動化設備等。

APT20M22LVRG 規(guī)格參數(shù)

晶體管類型：N溝道 MOSFET 

技術：POWER MOS 5? 

漏源電壓 (Vdss)：200 V 

連續(xù)漏極電流 (Id)：100 A (在25°C殼溫下) 

脈沖漏極電流 (Idm) ：400 A 

導通電阻 (Rds(on))：22 mΩ @ 500mA, 10V 

最大功率耗散 (Pd)：520 W (Tc) 

柵源極電壓 (Vgs) ：±30 V 

柵極電荷 (Qg)：435 nC @ 10V 

輸入電容 (Ciss)：10200 pF @ 25V 

封裝形式：TO-264 (也表述為 TO-264-3, TO-264AA) 

安裝方式：通孔 (THT) 

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